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Broadchip推出高性能雙SIM卡控制芯片BCT4302
作者:廣芯電子
來源:來源網(wǎng)絡(luò)(侵權(quán)刪)
日期:2008-09-01 09:22:55
摘要:廣芯電子(Broadchip)最近推出一款專為GSM、EDGE、GPRS及3G手機(jī)優(yōu)化設(shè)計(jì)的雙SIM卡控制芯片BCT4302,實(shí)現(xiàn)單基帶單射頻芯片設(shè)計(jì)下的雙SIM卡待機(jī)在線。
廣芯電子(Broadchip)最近推出一款專為GSM、EDGE、GPRS及3G手機(jī)優(yōu)化設(shè)計(jì)的雙SIM卡控制芯片BCT4302,實(shí)現(xiàn)單基帶單射頻芯片設(shè)計(jì)下的雙SIM卡待機(jī)在線,特別適用于基于MTK的MT62XX系統(tǒng)解決方案,支持1.8V和3V的SIM卡,一個(gè)串行接口(SPI)用于獨(dú)立控制兩個(gè)通道的SIM卡。
功能特點(diǎn):
* 可通過SPI接口由基帶處理器控制和通訊;
* 每個(gè)SIM卡都有獨(dú)立的1.8V/3.0V電源控制;
* 芯片VIO供電范圍2V~5.5V,內(nèi)置電平轉(zhuǎn)換功能,支持1.8V/3V的SIM卡與基帶芯片輸出的寬范圍的SIMIO實(shí)現(xiàn)良好數(shù)據(jù)傳輸,可以支持2MHz以上速率的數(shù)據(jù)傳輸;
* 每個(gè)SIM卡都有獨(dú)立的時(shí)鐘停止模式(低電平或高電平);
* 封裝形式:20個(gè)管腳的3mm×3mmQFN封裝(QFN-20)
功能特點(diǎn):
* 可通過SPI接口由基帶處理器控制和通訊;
* 每個(gè)SIM卡都有獨(dú)立的1.8V/3.0V電源控制;
* 芯片VIO供電范圍2V~5.5V,內(nèi)置電平轉(zhuǎn)換功能,支持1.8V/3V的SIM卡與基帶芯片輸出的寬范圍的SIMIO實(shí)現(xiàn)良好數(shù)據(jù)傳輸,可以支持2MHz以上速率的數(shù)據(jù)傳輸;
* 每個(gè)SIM卡都有獨(dú)立的時(shí)鐘停止模式(低電平或高電平);
* 封裝形式:20個(gè)管腳的3mm×3mmQFN封裝(QFN-20)