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國(guó)務(wù)院印發(fā)工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)規(guī)劃

作者:RFID世界網(wǎng)收錄
來(lái)源:通信信息報(bào)
日期:2012-02-03 08:49:20
摘要:國(guó)務(wù)院印發(fā)《工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)規(guī)劃(2011—2015年)》(以下簡(jiǎn)稱(chēng)《規(guī)劃》)?!兑?guī)劃》在分析“十一五”期間我國(guó)工業(yè)發(fā)展形勢(shì)的基礎(chǔ)上,指出“十二五”期間我國(guó)要加快轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式,著力提升自主創(chuàng)新能力,改造提升傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè),培育壯大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),調(diào)整和優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)?!兑?guī)劃》重點(diǎn)提出了“十二五”期間我國(guó)工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的主要目標(biāo)和重點(diǎn)發(fā)展領(lǐng)域。

  國(guó)務(wù)院印發(fā)《工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)規(guī)劃(2011—2015年)》(以下簡(jiǎn)稱(chēng)《規(guī)劃》)。《規(guī)劃》在分析“十一五”期間我國(guó)工業(yè)發(fā)展形勢(shì)的基礎(chǔ)上,指出“十二五”期間我國(guó)要加快轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式,著力提升自主創(chuàng)新能力,改造提升傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè),培育壯大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),調(diào)整和優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)?!兑?guī)劃》重點(diǎn)提出了“十二五”期間我國(guó)工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的主要目標(biāo)和重點(diǎn)發(fā)展領(lǐng)域。

  主要目標(biāo):(1)工業(yè)保持平穩(wěn)較快增長(zhǎng)。全部工業(yè)增加值年均增長(zhǎng)8%,工業(yè)增加值率較“十一五”末提高2個(gè)百分點(diǎn);(2)企業(yè)發(fā)明專(zhuān)利擁有量增加一倍,攻克和掌握一批達(dá)到世界領(lǐng)先水平的產(chǎn)業(yè)核心技術(shù),重點(diǎn)領(lǐng)域和新興產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵裝備、技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)取得突破。(3)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)規(guī)模顯著擴(kuò)大,實(shí)現(xiàn)增加值占工業(yè)增加值的15%左右;(4)資源節(jié)約、環(huán)境保護(hù)和安全生產(chǎn)水平顯著提升。單位工業(yè)增加值能耗較“十一五”末降低21%左右,單位工業(yè)增加值用水量降低30%等。

  在國(guó)家謀求經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型、優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的背景下,我們認(rèn)為大力發(fā)展新興產(chǎn)業(yè)勢(shì)在必行。我們可以看到,在《規(guī)劃》中,重點(diǎn)發(fā)展的領(lǐng)域與戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)七大領(lǐng)域不謀而合??梢灶A(yù)見(jiàn),未來(lái)新興產(chǎn)業(yè)將是國(guó)家重點(diǎn)投資的領(lǐng)域。目前,新興產(chǎn)業(yè)分類(lèi)目錄已經(jīng)制定完畢,各項(xiàng)規(guī)劃也將在2012年陸續(xù)發(fā)布,這也就意味著新興產(chǎn)業(yè)今年將進(jìn)入實(shí)質(zhì)性發(fā)展階段。因此,我們認(rèn)為“十二五”期間,新興產(chǎn)業(yè)將是A股最大的結(jié)構(gòu)性投資機(jī)會(huì)之一。

  集成電路。突破高端通用芯片核心技術(shù),開(kāi)發(fā)面向網(wǎng)絡(luò)通信、數(shù)字視聽(tīng)、計(jì)算機(jī)、信息安全、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域的集成電路產(chǎn)品。加快12英寸集成電路生產(chǎn)線技術(shù)升級(jí)和建設(shè),開(kāi)發(fā)45納米(nm)及以下先進(jìn)工藝模塊和特色工藝模塊;提升先進(jìn)封裝工藝和測(cè)試水平;增強(qiáng)刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、互聯(lián)鍍銅設(shè)備、大尺寸硅片等8-12英寸集成電路生產(chǎn)線關(guān)鍵設(shè)備、儀器和材料的開(kāi)發(fā)能力。加強(qiáng)對(duì)18英寸集成電路技術(shù)的儲(chǔ)備研發(fā)。

  關(guān)鍵電子元器件和材料。支持片式阻容感、機(jī)電組件、電聲器件、智能傳感器、綠色電池、印刷電路板等產(chǎn)品的技術(shù)升級(jí)及工藝設(shè)備研發(fā)。

  新型平板顯示。重點(diǎn)支持6代以上TFT-LCD面板生產(chǎn)和玻璃基板等核心技術(shù)研發(fā)。圍繞高光效技術(shù)(高能效、低成本)、高清晰度技術(shù)(3D、動(dòng)態(tài)清晰度、超高清晰度)以及超薄技術(shù)進(jìn)行研發(fā),提高PDP產(chǎn)品性能,完善配套產(chǎn)業(yè)鏈。

  加強(qiáng)OLED關(guān)鍵原材料及設(shè)備本土化配套。支持電子紙及關(guān)鍵材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。發(fā)光二極管(LED)。重點(diǎn)突破外延生長(zhǎng)和芯片制造關(guān)鍵技術(shù),提高外延片和高端芯片的國(guó)內(nèi)保障水平。增強(qiáng)功率型LED器件封裝能力,加大對(duì)封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、新型封裝材料及新工藝的研究與開(kāi)發(fā)。加快實(shí)現(xiàn)金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積設(shè)備的量產(chǎn),推進(jìn)襯底材料、高純金屬有機(jī)化合物、高性能環(huán)氧樹(shù)脂以及高效熒光粉等研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

  著力突破物聯(lián)網(wǎng)的關(guān)鍵核心技術(shù)。圍繞高端傳感器、新型射頻識(shí)別(RFID)、智能儀表、智能信息處理軟件等瓶頸環(huán)節(jié),突破核心技術(shù),重點(diǎn)支持面向應(yīng)用的數(shù)據(jù)挖掘和智能分析決策軟件技術(shù)及產(chǎn)品的研發(fā),加強(qiáng)高可靠、低成本傳感器專(zhuān)用芯片、傳感節(jié)點(diǎn)、微操作系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)和適于傳感器節(jié)點(diǎn)使用的高效電源等產(chǎn)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,開(kāi)發(fā)與新型網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)相適應(yīng)的虛擬化、低功耗技術(shù)及相應(yīng)產(chǎn)品。

  加快構(gòu)建物聯(lián)網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)化體系。從總體、感知、傳輸、應(yīng)用等方面系統(tǒng)構(gòu)建物聯(lián)網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)體系。加快傳感器網(wǎng)絡(luò)組網(wǎng)、物品標(biāo)識(shí)編碼、信息傳輸、智能處理、安全等關(guān)鍵技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)研究制定,建立跨行業(yè)、跨領(lǐng)域的物聯(lián)網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)作機(jī)制。

  統(tǒng)籌重點(diǎn)領(lǐng)域的物聯(lián)網(wǎng)先導(dǎo)應(yīng)用。推進(jìn)物聯(lián)網(wǎng)在先進(jìn)制造、現(xiàn)代物流、食品安全、數(shù)字醫(yī)療、環(huán)保監(jiān)測(cè)、安全生產(chǎn)、、智慧城市以及在交通、水利、電網(wǎng)等基礎(chǔ)設(shè)施中的應(yīng)用。研究推進(jìn)無(wú)錫國(guó)家物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新示范區(qū)建設(shè)。加強(qiáng)物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新服務(wù)體系建設(shè)。

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