Imec研發(fā)出低成本無源薄膜RFID標(biāo)簽

　　Imec的超高頻Schottky二極管基于非晶IGZO材料，據(jù)說能用于開發(fā)薄膜無源超高頻（UHF）電子標(biāo)簽，取代目前的條形碼標(biāo)識，很適合單品級應(yīng)用。

　　超高頻RFID標(biāo)簽有一個較長的閱讀范圍（5米），體形小，可用印刷天線，總體成本低。

　　與硅相比，IGZO材料的低成本優(yōu)勢更明顯，因為IGZO薄膜有源器件的制程便宜，要求的溫度較前者低。

　　該研發(fā)成果將使得RFID芯片直接基于塑料薄膜應(yīng)用，如產(chǎn)品包裝。

　　二極管可用于阻擋電流，例如，在無源標(biāo)簽上，它通過捕捉天線的電磁波并轉(zhuǎn)化為電流為標(biāo)簽供電。

　　IGZO是非晶半導(dǎo)體，能形成一個穩(wěn)定的Schottky勢壘，即使應(yīng)用于金屬環(huán)境。

　　獲得一個穩(wěn)定的Schottky勢壘后，Imec開發(fā)了特別的電漿和退火處理，通過化學(xué)過程改變Schottky二極管的接口。

　　由此制成的IGZO Schottky二極管整流比高達九個數(shù)量級（+ V 和- V），電流密度高達800 A /cm²（正向偏壓1V），截止頻率1.8ghz。如果單級整流器，截止頻率1.1ghz。

　　實驗已證明，整流器件在超高頻（868MHz）下?lián)p耗很低。

　　本研究為薄膜超高頻RFID技術(shù)，支持歐盟EU FP7-ICT-247798 project ORICLA。

　　項目的合作伙伴包括項目協(xié)調(diào)員Imec（比利時），霍爾斯特中心–TNO（荷蘭），贏創(chuàng)工業(yè)股份公司（Evonik Industries AG，德國），和PolyIC（德國）。(RFID世界網(wǎng)編譯)