汽車電子物聯(lián)網(wǎng)等新需求浮現(xiàn)，芯片存儲器供貨短缺將延續(xù)到2018年

　　近段時間，汽車電子，物聯(lián)網(wǎng)5G等技術(shù)的快速崛起，導(dǎo)致2017年部分半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈出現(xiàn)缺貨現(xiàn)象，供需失衡的景象難得一見。

　　不僅僅是上游的硅晶圓及導(dǎo)線架等材料缺貨，DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)、NAND Flash(儲存型快閃存儲器)，以及 NOR Flash(編碼型快閃存儲器)3 大存儲器，今年創(chuàng)下歷年最缺、漲勢最久的紀(jì)錄，另微控制器(MCU)、金氧半場效電晶體(MOSFET)也因缺貨而拉長交期或順勢漲價。

　　2018年即將到來，硅晶圓及導(dǎo)線架仍供不應(yīng)求，價格將持續(xù)調(diào)漲，存儲器持續(xù)供不應(yīng)求,缺貨還將一路延續(xù)到明年。

　　以半導(dǎo)體硅晶圓來看，近幾年擴(kuò)產(chǎn)的供應(yīng)商很少，又剛好遇到今年半導(dǎo)體廠晶圓產(chǎn)能大量開出，2017年全年都處于缺貨狀態(tài)。為避免2018年硅晶圓出現(xiàn)缺貨，全球半導(dǎo)體大廠采用預(yù)付訂金方式確保明年貨源，價格則每季調(diào)漲。

　　NAND Flash及NOR Flash明年上半年缺貨情況則可獲得紓解。各大廠商下半年都加快3D NAND產(chǎn)能及技術(shù)轉(zhuǎn)換，其中包括三星、東芝、SK海力士、美光，明年產(chǎn)能開出后就可充足供貨。NOR Flash同樣因長江儲存及中芯國際產(chǎn)能開出，加上力晶投入代工市場，明年上半年產(chǎn)能增加，需求端則進(jìn)入傳統(tǒng)淡季，供需平衡有望在市場出現(xiàn)。