2.4G 內(nèi)置NVM芯片 RFID有源方案

產(chǎn)品詳情：

Si24R2E集成NVM的超低功耗2.4GHz GFSK/FSK無線發(fā)射芯片

Si24R2E

　　Si24R2E是一顆工作在2.4GHzISM頻段，專為低功耗有源RFID應(yīng)用場(chǎng)合設(shè)計(jì)，集成嵌入式發(fā)射基帶的無線發(fā)射芯片、128次可編程N(yùn)VM存儲(chǔ)器以及自動(dòng)發(fā)射模塊。工作頻率范圍為2400MHz-2525MHz，共有126個(gè)1MHz帶寬的信道。

　　當(dāng)打開啟自動(dòng)發(fā)射功能，內(nèi)部Watchdog與內(nèi)部RCOSC工作時(shí)，芯片睡眠狀態(tài)下待機(jī)電流僅為700nA。當(dāng)內(nèi)部Timer定時(shí)到時(shí)，自動(dòng)發(fā)射控制器自動(dòng)完成數(shù)據(jù)從NVM的裝載與發(fā)射，數(shù)據(jù)發(fā)射完成后，芯片立即進(jìn)入睡眠狀態(tài)，因此Si24R2E的平均功耗非常低，對(duì)于電池供電應(yīng)用，可以非常容易實(shí)現(xiàn)五年以上的待機(jī)時(shí)間。

　　Si24R2E操作方式非常方便，可以不需要外部MCU，可以自動(dòng)完成數(shù)據(jù)裝載與發(fā)射。NVM存儲(chǔ)器可以存儲(chǔ)寄存器配置與發(fā)射的數(shù)據(jù)內(nèi)容，掉電后不會(huì)丟失，數(shù)據(jù)可保持10年以上。在3.3V供電電壓下，無需外部高壓，外部MCU可以通過芯片的四線SPI接口完成NVM的配置編程，芯片最大可編程次數(shù)為128次，芯片支持NMV加鎖，防止NVM配置數(shù)據(jù)回讀，保證用戶數(shù)據(jù)安全。

　　Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作，芯片不需要額外接口，外部微控制器（MCU）通過SPI接口對(duì)芯片少數(shù)幾個(gè)寄存器配置即可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的發(fā)射，芯片完全兼容Si24R1發(fā)射功能，在不打開自動(dòng)發(fā)射功能時(shí)，芯片功能與配置方法與Si24R2完全相同。

　　Si24R2E具有非常低的系統(tǒng)應(yīng)用成本，可以不需要外部MCU，僅少量外圍無源器件即可以組成一個(gè)無線數(shù)據(jù)發(fā)射系統(tǒng)。內(nèi)部集成高PSRR的LDO電源，保證1.9-3.6V寬電源范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。



主要特性

內(nèi)置128次可編程N(yùn)VM存儲(chǔ)器
3.3V編程電壓
超低功耗自動(dòng)發(fā)射功能
內(nèi)置硬件Watchdog
內(nèi)置3KHZ RCOSC
內(nèi)置低電壓自動(dòng)報(bào)警功能
超低關(guān)斷功耗：0.7uA
寬電源電壓范圍：1.9-3.6V
超低待機(jī)功耗：<15uA
數(shù)字IO電壓:3.3V/5V
發(fā)射電流（2Mbps）:13.5mA（0dBm）
內(nèi)部集成高PSRR LDO
最高發(fā)射功率：7dBm （23mA）
10MHz四線SPI模塊
調(diào)制方式：GFSK/FSK
收發(fā)數(shù)據(jù)硬件中斷輸出
數(shù)據(jù)速率：2Mbps/1Mbps/250Kbps
完全兼容Si24R2
快速啟動(dòng)時(shí)間：<130uS
完全兼容Si24R1發(fā)射功能
低成本晶振：16MHz±60ppm