富士通RAM器件結合在芯片的低功耗內存的優(yōu)點

       富士通半導體美國公司（TI）7月13日推出了一系列新的先進的鐵電隨機存取記憶體（TI）產品由富士通設計和制造，以滿足在工業(yè)系統的需求迅速增加的FRAM，工廠自動化，計量，和許多其它低功耗應用要求高性能，非易失性內存。

       新MB85RSxxxSPIFRAM系列包括三種不同的設備：256-Kbit的MB85RS256A，128–Kbit的MB85RS128A和64-Kbit的MB85RS64A。所有三個操作在3.0V和3.6V之間的電壓范圍，并提供業(yè)界領先的10億美元的讀/寫周期，以及數據保留10年，在55°C.

       新系列是富士通最新的0.18微米（微米）FRAM技術的基礎上，采用了最高工作頻率為25MHz，比該公司以前的FRAM器件的顯著改善。由于電壓的助推器是不必要的寫作過程中，非常適合用于低功耗應用的新型FRAM。所有MB85RSxxx系列器件提供8引腳塑料SOP封裝，與標準的內存的針腳分配，這是與E2PROM的設備完全兼容。

       另外的SPIFRAM系列，富士通還開發(fā)了具有獨立的FRAM器件的I²C（MB85RCxxx系列）和并行接口（MB85Rxxx系列）。這些獨立設備的密度從16Kbit到1Mbit的水平和與產品路線圖，其中包括更高的密度，以滿足未來市場需求。

      高密度的RFID芯片同時采樣

      富士通也是其高性能，高密度的RFID芯片樣品。這些高頻基于FRAM的RFID產品，符合與ISO/IEC15693和ISO/IEC18000-3標準，可在256字節(jié)和2K字節(jié)內存的變化。此外，富士通是符合EPC全球第二代RFID標識，采樣并提供了FRAM4K字節(jié)和一個備用的SPI接口。

       富士通公司近期的路線圖，包括業(yè)界最大64K字節(jié)的EPCGlobal的Gen2RFID芯片。這種高密度，基于FRAM的RFID產品系列，使強大的跟蹤應用。該芯片提供了在該項目的水平，其中包括不只是一個基本的識別碼可追溯審計線索，而且還提供詳細的歷史，追蹤或其他記錄，通過供應鏈，并在其整個生命周期跟蹤的對象。由于FRAM具有抗輻射的高耐受性，這些RFID芯片適用于各種醫(yī)療和制藥應用。

        放心可靠，穩(wěn)定的FRAM供應

        行業(yè)最大的FRAM的供應商，富士通公司是第一家嵌入到CMOS邏輯FRAM在1998年，在1999年推出業(yè)界首個大規(guī)模生產。富士通夫婦與優(yōu)化FRAM設計生產行業(yè)的最高質量的FRAM產品，其高度可靠和成熟的制造能力。

        富士通半導體美國公司的高級營銷經理彭塘他說：“富士通公司最近完成了從公司的較舊的巖手縣的制造設施，一個在三重，日本，這已經被制造集成電路用的高效的0.18微米技術幾年較新線線的FRAM產品的遷移，”“因為富士通公司擁有的生產基地，公司可以確保一個更加可靠和穩(wěn)定的供應，以滿足FRAM產品的市場需求穩(wěn)步增長。這是一個關鍵的優(yōu)勢，富士通為客戶提供無晶圓廠供應商，外源的生產，從而可能會受到供應中斷?！耙驹O計，制造工藝技術和生產進度的控制能力的全球市場帶來的好處。

         一個數據保留至少10年的非揮發(fā)性記憶體，FRAM可以完美地取代所有的電池備份解決方案，使環(huán)保產品。FRAM獨立內存設備被廣泛用于計量和工廠自動化應用，以及在各種工業(yè)領域，其中的數據記錄，高速的寫訪問和高耐用性是必不可少的。在FRAM鐵電材料具有很強的抗的磁場和輻射，使得它也非常適合應用在醫(yī)療，航空航天，食品等行業(yè)。
來自官方：http://www.ti.net.cn/