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又一項(xiàng)新突破!三星宣布發(fā)現(xiàn)新型半導(dǎo)體材料

作者:本站收錄
來源:愛集微
日期:2020-07-07 12:15:02
摘要:在現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用該材料仍存在許多挑戰(zhàn)。我們將繼續(xù)開發(fā)新材料,引領(lǐng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的轉(zhuǎn)變。

據(jù)BusinessKorea報(bào)道,三星電子今(6)日宣布,三星高級(jí)技術(shù)學(xué)院(SAIT)的研究人員與蔚山國家科學(xué)技術(shù)學(xué)院(UNIST)、劍橋大學(xué)兩家高校合作,發(fā)現(xiàn)了一種名為非晶態(tài)氮化硼(a-BN)的新材料,此項(xiàng)研究可能加速下一代半導(dǎo)體材料的問世。



圖源:BusinessKorea

三星表示,SAIT最近一直在研究和開發(fā)二維(2D)材料——只有一層原子的晶體材料。具體來說,研究所一直致力于石墨烯的研究與開發(fā),并在該領(lǐng)域取得了突破性的研究成果,如開發(fā)了一種新型石墨烯晶體管,以及一種生產(chǎn)大面積單晶片級(jí)石墨烯的新方法。除了研究和開發(fā)石墨烯,SAIT一直致力于加速這種材料的商業(yè)化。

該報(bào)道稱,這種新發(fā)現(xiàn)的材料被稱為非晶態(tài)氮化硼(a-BN),由硼和氮原子組成,為非晶態(tài)結(jié)構(gòu)。非晶態(tài)氮化硼是由白色石墨烯衍生而來,其中硼原子和氮原子排列成六邊形結(jié)構(gòu),而a-BN的分子結(jié)構(gòu)實(shí)際上使其與白色石墨烯有獨(dú)特之處。

SAIT石墨烯項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、首席研究員Shin Hyeon-jin說:“為了增強(qiáng)石墨烯與硅基半導(dǎo)體工藝的兼容性,半導(dǎo)體襯底上的晶片級(jí)石墨烯生長(zhǎng)應(yīng)在低于400攝氏度的溫度下進(jìn)行。我們也在不斷努力將石墨烯的應(yīng)用擴(kuò)展到半導(dǎo)體之外?!?/p>

無定形氮化硼具有一流的超低介電常數(shù)——1.78,具有較強(qiáng)的電氣和機(jī)械性能,可作為互連隔離材料,以減少電干擾。也證明了這種材料可以在400攝氏度的低溫下在晶圓片上生長(zhǎng)。因此,非晶態(tài)氮化硼有望廣泛應(yīng)用于DRAM和NAND解決方案等半導(dǎo)體,特別是用于大規(guī)模服務(wù)器的下一代內(nèi)存解決方案。

對(duì)此,SAIT副總裁兼無機(jī)材料實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人Park Seong-jun表示,“最近,人們對(duì)2D材料及其衍生的新材料的興趣越來越大。然而,在現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用該材料仍存在許多挑戰(zhàn)。我們將繼續(xù)開發(fā)新材料,引領(lǐng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的轉(zhuǎn)變。”

另外,此項(xiàng)研究已發(fā)表在《自然》雜志上。


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